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机译:四元电子阻挡层对腔内接触氧化物限制的InGaN基垂直腔面发射激光器性能特性的影响
Vertical cavity surface emitting laser; quantum well; electron blocking layer; quaternary nitride alloys; external quantum efficiency;
机译:四元电子阻挡层对腔内接触氧化物限制的InGaN基垂直腔面发射激光器性能特性的影响
机译:腔内接触氧化物限制垂直腔面发射激光器的梯度接触层中的电流拥挤
机译:腔内接触的垂直腔面发射激光器的阈值电流特性
机译:双氧化物限制区域对垂直腔表面发射激光器电,光学和热场分布特性的影响
机译:氧化物受限垂直腔面发射激光器(VCSEL)中稳态电流分布的迭代模型
机译:不同腔配置中锁模垂直外腔面发射激光器的时滞-微分方程建模
机译:氧化物限制和质子注入的垂直腔面发射二极管激光器的激光性能比较分析
机译:氧化物限制垂直腔面发射激光器(VCsEL)二极管中的质子辐照效应。