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【24h】

Size-dependent band-gap and dielectric constant of Si nanocrystals

机译:Si纳米晶体的尺寸相关带隙和介电常数

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摘要

Based on the consideration on size-dependent temperature T_m(D) where D denotes the diameter of nanoparticles and nanowires or the thickness of thin films, the size-dependent band-gap E_g(D) and dielectric constant ε(D) of low dimensional materials are modeled without any adjustable parameter. The model predicts an increase of the band-gap and a decrease of dielectric constant with drop of Si nanocrystals' size. The predicted results correspond to experimental and computer simulation results of Si nanocrystals.
机译:基于对尺寸相关的温度T_m(D)的考虑,其中D表示纳米颗粒和纳米线的直径或薄膜的厚度,尺寸相关的带隙E_g(D)和低维介电常数ε(D)材料建模时没有任何可调整的参数。该模型预测,随着Si纳米晶体尺寸的减小,带隙的增加和介电常数的减小。预测结果与Si纳米晶体的实验和计算机模拟结果相对应。

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