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机译:高倍阿拉伯糖矢/癌杂合子的现状与展望
日本電気株式会社光·無線デバイス研究所;
Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 2-9-1 Seiran, Otsu-shi, 520-0833 Japan;
窒化ガリウム; ワイドバンドギャップ; 電界効果トランジスタ; 耐圧; パワーアンプ;
机译:SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
机译:SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
机译:短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
机译:ヘテロコア光ファイバセンサによる血圧計測方法の検討
机译:窒化物半导体ヘテロ接合への低抵抗オーミック接触の形成と电界效果トランジスタへの応用