シリコン上へのジルコニウム酸窒化薄膜の形成と誘電特性

摘要

ゲート絶縁膜への応用を目的として，スパッタ法によりシリコン上にジルコニウム酸窒化薄膜を堆積し，熱処理条件を変化させて残留窒素濃度を制御した．窒素濃度が最大約24％含有していること，窒素がジルコニウムと結合していることを確認した．更に，本実験の範囲では窒素濃度が大きいほど比誘電率が大きく，最大22の値が得られた．