SiCのMOS界面制御技術

摘要

従来用いられてきた（0001）Si面ではなく，新しい結晶面である（1120）面，（0338）面を用いたSiCのMOS界面特性を制御する技術について述べる．それらの面上に反転型MOSFETを作製し，チャネル移動度やしきい値電圧について様々な温度で測定した．n型MOSキャパシタを作製し，特に伝導帯付近の界面準位について評価してMOSFET特性との関連を調べた．SiCのMOS界面制御の現状についても紹介する．