RF－CMOSの回路技術と将来展望

摘要

本論文では，RF（Radio Frequency）用CMOS回路の現状と動向，並びに主として完全空乏形CMOS／SOI（Silicon－On－Insulator）デバイスを用いたGHz帯の低電圧?省電力RF回路技術について概説する．はじめにRF－CMOS回路の現状について，トランシーバアーキテクチャのレベルから解説する．次にRF回路で必須な受動素子へのシリコン基板の影響，インダクタの構成法と高抵抗基板の効果等を述べる．続いて，低電圧?省電力RF要素回路技術について，低雑音アンプ（LNA），ミクサを中心に設計手法と試作結果を示した後に，Bluetoothに代表される近距離無線システムに適する1V動作のイメージ抑圧形受信機の試作例を述べる．最後に更なる高周波化への試みと今後の展望について触れる．