首页> 外文期刊>電子情報通信学会論文誌, C. エレクトロニクス >リアクティブスパッタ法によるTaN_x薄膜抵抗体の作製と電極との接触抵抗の評価
【24h】

リアクティブスパッタ法によるTaN_x薄膜抵抗体の作製と電極との接触抵抗の評価

机译:反应溅射法制备TaN_x薄膜电阻器及电极接触电阻的评估

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

L1/L2の二つの周波数を同時に受信可能なGPS受信機の実現を目的とし,トランスコンダクタ部を共通化したクワドラチャーミクサを用いたWeaver型のデュアルバンドイメージリジェクトミクサを提案する.このクワドラチャーミクサはLOの位相誤差を補償する効果があり,キャリブレーションや補償回路を追加することなくイメージリジュクト比(IMRR)が改善できる.0.25 μmCMOSプロセスを用いてデュアルバンドイメージリジェクトミクサの設計と試作を行い,1stLOのポリフェーズフィルタの精度で制限されるIMRRが41 dBから最大64 dBまでの改善を確認した.
机译:该项目的目的是实现一个可以同时接收L1和L2两个频率的GPS接收机。 我们提出了一种Weaver型双频镜像抑制混频器,该混频器使用具有公共跨导体截面的正交混频器0.25。 我们采用μmCMOS工艺设计了双频段镜像抑制混频器并制作了原型,并确认受第一LO多相滤波器精度限制的IMRR从41 dB提高到最大64 dB。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号