机译:高质量、大面积MoSe2和MoSe2 / Bi2Se3AlN异质结构(0001)/ Si(111)基板通过分子束外延
NCSR Demokritos, Inst Nanosci & Nanotechnol, GR-15310 Athens, Greece;
Aristotle Univ Thessaloniki, Phys Dept, GR-54124 Thessaloniki, Greece;
IMEC, Leuven, Belgium;
Heterostructures; Mass production; high-frequency bandSubstratesMolecular beam epitaxyRamanPhotoelectron Spectroscopy;
机译:使用氨分子束外延法在4H-SiC(0001)和Si(111)衬底上以低生长速率生长的高质量AlN(0001)层的原位NC-AFM测量
机译:孔和分层引起的失配应变弛豫以及外延AlN(0001)/ SiC / Si(111)异质结构中位错,裂纹和屈曲形成的条件
机译:通过斯特拉斯基 - 克拉车模式下等离子体辅助分子束外延在AlN / Si(111)和GaN / Al2O3(0001)上生长的自组装入线量子点
机译:使用氨分子束外延在4H-siC(0001)和si(111)衬底上以低生长速率生长的高质量alN(0001)层的原位NC-aFm测量