FIB-TOF-SIMSによる微小粒子の表面および断面の分析

摘要

二次イオン質量分析法（Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS）は，固体表面に数100～数10keVのイオンビームを照射した際に放出される正または負の二次イオンを質量分析する表面手法である。SIMSのなかでも，一次イオンビームを短パルス化し，これを時間原点とする飛行時問型質量分析計（Time-of-Flight Mass Spectrometer, TOF-MS）を用いたものをTOF-SIMSと呼ぶ。TOF-SIMS（Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）はイオンの照射量がきわめて少なく，表面を準非破壊的に分析可能なため，金属，半導体のみならず，ポリマーや有機物の分析にも数多く応用されている。