高耐圧と低オン抵抗を両立した窒化ガリウム系ダイオードを開発

摘要

パナソニック（株）セミコンタクタ一社は、機器の省エネ ルギー化を実現するパワーデバイス材料として期待される 窒化ガリウムを用いた、高耐圧?低オン抵抗のダイオード を開発した。 　このダイオードは、窒化ガリウム特有の分極という特性 により表裏面に自然に現れる電荷を積極的に活かした新規 半導体接合（ナチュラルスーパージャンクション）を採用し、 耐圧を低下させることなくオン抵抗を低減できるため、き わめて低損失なパワーデバイスの実現が可能となる。