電源二次側整流器用ダイオード「低I{sub}R-SBDシリーズ」

摘要

電子機器の小型·軽量化，高性能化が急速に進み，その中ても特にACアタフタなとは小型化·高出力化傾向が顕著てあり，半導体デバイスの使用環境は厳しくなる一方てある。 これを踏まえ，特に高温環境下てのネイッチンク電源の二次側整流用に最適な低I{sub}R SBDを製品化した。 その特長は，チップ比抵抗·厚さ，カードリンク濃度，拡散深さ，バリヤメタルの最適化を図ることて，従来のSBDに比へI{sub}Rを約一けた低減し，さらにV{sub}Fの増加を極力抑えたことてあり，発生損失の低減による使用温度限界の向上が図られている。