32nm世代以降LSI向け3種類の高性能化技術を開発

摘要

㈱東芝は、32nm世代以降の高性能LSIに必須とされる 3種類の主要技術について開発を行い、実用水準の性能や 加工効率を達成した。 今回開発したのは、メタルゲート及び低抵抗コンタクト の新構造・加工技術と、シリコンの加工方向（基板の面方 位）を変えて高性能化する技術（（110）面pMOS高性能 化技術）の実用法。