新材料sic半導体デバイスを搭載したハイパワーモジュールを開発

摘要

ローム（株）は、（株）本田技術研究所と共同で、SiC- SBD/MOSFETを搭載した1,200V・230A（280kVA 相当）クラスの次世代電気動力車向けハイパワーインバー タモジュールを開発した。 近年、急速に普及しているハイブリッド車（HEV）や電 気自動車（EV）など、パワーエレクトロニクスが必要とさ れる分野では、現在用いられているSiデバイスよりも電力 変換時の損失が少なく、材料物性に優れたSiCデバイスの 実用化が期待されている。