超高密度半導体量子ドット形成技術で300層の量子ドットの積層に成功

摘要

独立行政法人情報通信研究機構（以下、NIICT）は、光通 信用デバイスでの利用が期待される半導体量子ドット構造の 形成技術において、300層の量子ドットを積層することに成 功した。この密度は通常作成される自己組織化量子ドットの 100倍以上になる。また、この超高密度半導体量子ドットの 性能を利用した半導体レーザを試作し、80℃までの温度環 境で通信波長帯域のレーザ発振に成功。