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机译:AG / COFE2O4 / PT电阻开关装置的顺应性电流控制挥发性和非易失性存储器
Indian Inst Technol Delhi Dept Phys Hauz Khas New Delhi 110016 India;
Indian Inst Technol Delhi Dept Phys Hauz Khas New Delhi 110016 India;
CoFe2O4; irreversible resistive switching; volatile and non-volatile resistive switching; valence change memory; electrochemical metallization;
机译:Cu / ZrO2 / Pt器件中可控的易失性至非易失性电阻切换转换和导电丝工程设计
机译:Cu / ZrO2 / Pt器件中可控的易失性至非易失性电阻切换转换和导电丝工程设计
机译:通过编程适当的顺应电流来稳定TiN / MgZnO / ZnO / Pt异质结构存储器件的电阻开关性能
机译:通过调整成形顺应电流在单个Ag / SiO2 / Pt器件中实现多模电阻切换
机译:基于开关过程的建模控制非易失性铪 - 氧化物电阻开关存储器的变异性
机译:低功耗非易失性器件应用中还原氧化石墨烯存储单元的电阻切换行为
机译:AG2S存储器中的非指数电阻切换:纳米级非易失性存储器件的键
机译:非易失性和低温兼容的量子存储器件(QumEm)。