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机译:电力蓝ingAn / GaN LED效率的温度依赖性降低
Russian Acad Sci Ioffe Phys Tech Inst St Petersburg 194021 Russia;
Russian Acad Sci Ioffe Phys Tech Inst St Petersburg 194021 Russia;
Russian Acad Sci Submicron Heterostruct Microelect Res &
Engn Cent St Petersburg 194021 Russia;
Russian Acad Sci Submicron Heterostruct Microelect Res &
Engn Cent St Petersburg 194021 Russia;
Russian Acad Sci Submicron Heterostruct Microelect Res &
Engn Cent St Petersburg 194021 Russia;
Russian Acad Sci Submicron Heterostruct Microelect Res &
Engn Cent St Petersburg 194021 Russia;
InGaN; GaN LEDs; nanostructures; decline in external quantum efficiency;
机译:焦耳热对大功率蓝色InGaN / GaN LED的量子效率和热条件选择的影响
机译:GaN势垒厚度对蓝色InGaN / GaN多量子阱LED结构的内置电场和内部量子效率的影响
机译:插入低温n-GaN基础层以分隔非辐射复合中心可提高蓝色InGaN / GaN LED的发光效率
机译:大功率蓝色InGaN / GaN多量子阱发光二极管中随温度变化的电致发光研究
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:尺寸依赖性电致发光和蓝色Ingan / GaN细胞的电流电压测量到亚微米刻度
机译:在图案化蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN LED中激发功率相关的内量子效率的研究
机译:经受高电流脉冲的蓝色alGaN / InGaN / GaN LED的劣化