机译:化学机械抛光过程中材料去除纳米粒子的机械模型
State Key Laboratory of Tribology Tsinghua University Beijing 100084 China;
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nanoparticle; chemical mechanical polishing (CMP); contact theory; material removal;
机译:化学机械抛光过程中用于去除材料的纳米颗粒的力学模型
机译:结合了化学和机械作用对铜化学机械抛光材料去除的动力学模型
机译:化学机械抛光过程中化学机械协同作用对材料去除的建模效果
机译:一种新的化学机械抛光材料清除和化学机械协同作用的新方法
机译:化学机械抛光中材料去除和表面粗糙度的颗粒模型。
机译:超声化学机械抛光与超声研磨相结合的单晶碳化硅晶片材料去除及表面生成研究
机译:化学机械抛光过程中用于去除材料的纳米颗粒的力学模型
机译:电化学机械,低应力,自动抛光(ECmp)装置(预印本)