...
机译:高性能Sub-10 NM Cu-Low K互连的低氢硅氮化硅帽
IBM Semicond Technol Res Albany NY 12203 USA;
IBM Semicond Technol Res Albany NY 12203 USA;
IBM Semicond Technol Res Albany NY 12203 USA;
IBM Syst Technol Grp Hopewell Jct NY 12533 USA;
IBM Syst Technol Grp Hopewell Jct NY 12533 USA;
IBM TJ Watson Res Ctr Yorktown Hts NY 10598 USA;
IBM TJ Watson Res Ctr Yorktown Hts NY 10598 USA;
IBM TJ Watson Res Ctr Yorktown Hts NY 10598 USA;
IBM TJ Watson Res Ctr Yorktown Hts NY 10598 USA;
IBM Almaden Res Ctr San Jose CA 95150 USA;
IBM Almaden Res Ctr San Jose CA 95150 USA;
IBM Semicond Technol Res Albany NY 12203 USA;
机译:高性能Sub-10 NM Cu-Low K互连的低氢硅氮化硅帽
机译:使用通过电子束光刻构图的氢倍半硅氧烷掩模制作低于10 nm的氮化硅碳氮化物谐振器
机译:由碳包覆的10 nm以下Si初级粒子组成的微细硅碳复合物,作为锂离子电池的高性能负极材料
机译:低氢硅氮化硅盖,用于高性能SUB-10 NM Cu-Low K互连
机译:氮化硅的耐腐蚀性:氢,硅和硅碳陶瓷膜。
机译:强窄带发光从硅空位色心在空间定位子10纳米纳米金刚石
机译:利用针对低成本光学互连的smF / mmF链路的OOK,OFDm和4-pam的850nm和1550nm VCsEL的性能比较
机译:在碳化硅,氮化硅,氧化铝和氧化锆上测量金刚石碳膜的拉伸测试附着力