...
机译:基于BixSN1-XO2中间带的超高探测和宽动态范围紫外线光电探测器。 半导体
Chinese Acad Sci Hefei Inst Phys Sci Inst Solid State Phys Anhui Key Lab Nanomat &
Nanostruct Key Lab Mat Ph Hefei 230031 Anhui Peoples R China;
Chinese Acad Sci Hefei Inst Phys Sci Inst Solid State Phys Anhui Key Lab Nanomat &
Nanostruct Key Lab Mat Ph Hefei 230031 Anhui Peoples R China;
Chinese Acad Sci Hefei Inst Phys Sci Inst Solid State Phys Anhui Key Lab Nanomat &
Nanostruct Key Lab Mat Ph Hefei 230031 Anhui Peoples R China;
Chinese Acad Sci Hefei Inst Phys Sci Inst Solid State Phys Anhui Key Lab Nanomat &
Nanostruct Key Lab Mat Ph Hefei 230031 Anhui Peoples R China;
intermediate band semiconductor; ultraviolet photodetector; Bi-doped SnO2; thin films; wide bandgap semiconductor;
机译:基于BixSN1-XO2中间带的超高探测和宽动态范围紫外线光电探测器。 半导体
机译:实现超高检测率的基于卤化钙钛矿的有机油卤化物金属氧化物半导体结构光电探测器
机译:基于组织卤化物的钙钛矿 - 氧化物半导体结构光电探测器实现超高探测器
机译:基于宽带隙半导体的紫外金属-半导体-金属光电探测器的暗电流降低
机译:基于体氮化镓的电子设备:肖特基二极管,肖特基型紫外光电探测器和金属氧化物半导体电容器。
机译:铝制血浆富含紫外线GaN光电探测器具有超高响应性探测和宽带宽度
机译:基于宽带隙半导体的紫外金属-半导体-金属光电探测器的暗电流降低
机译:基于晶格匹配6.1 a II / VI和III / V半导体的多色(UV-IR)光电探测器。