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机译:由位置控制的MicrotRansfer制造的单个GaAs纳米线/石墨烯混合装置和用于嵌入式结构的压印技术
Norwegian Univ Sci &
Technol NTNU Dept Elect Syst NO-7491 Trondheim Norway;
Konkuk Univ Sch Phys Seoul 05029 South Korea;
Ewha Womans Univ Dept Phys Seoul 03760 South Korea;
Sejong Univ Dept Phys Seoul 05006 South Korea;
Norwegian Univ Sci &
Technol NTNU Dept Elect Syst NO-7491 Trondheim Norway;
Norwegian Univ Sci &
Technol NTNU Dept Elect Syst NO-7491 Trondheim Norway;
Norwegian Univ Sci &
Technol NTNU Dept Elect Syst NO-7491 Trondheim Norway;
Norwegian Univ Sci &
Technol NTNU Dept Elect Syst NO-7491 Trondheim Norway;
Sejong Univ Dept Phys Seoul 05006 South Korea;
Ewha Womans Univ Dept Phys Seoul 03760 South Korea;
Norwegian Univ Sci &
Technol NTNU Dept Elect Syst NO-7491 Trondheim Norway;
single nanowire device; GaAs; graphene; Schottky contact; embedded nanowire;
机译:由位置控制的MicrotRansfer制造的单个GaAs纳米线/石墨烯混合装置和用于嵌入式结构的压印技术
机译:GaAs纳米线阵列的大面积位置控制生长技术
机译:用于高性能光电导器件的石墨烯-纳米线混合结构
机译:通过金属有机化学气相沉积法形成嵌入在位置控制的GaAs纳米线中的单个In(Ga)As / GaAs量子点,以应用于单光子源
机译:使用特征应变技术对具有多个嵌入式设备的自适应结构的响应。
机译:无光刻技术制备的自催化GaAs纳米线均匀集合体的结构研究
机译:GaAs纳米线/石墨烯混合器件的制备和电子研究
机译:玻璃和硅衬底上剥离制备alGaas / INGaas单应变量子阱结构的特性