ZnSxSe1–x Alloy Passivation Layer for High-Efficiency Quantum-Dot-Sensitized Solar Cells

Linlin  Zhang; Huashang  Rao; Zhenxiao  Pan; Xinhua  Zhong

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ZnSxSe1–x Alloy Passivation Layer for High-Efficiency Quantum-Dot-Sensitized Solar Cells

机译：用于高效量子点敏化太阳能电池的Znsxse1-X合金钝化层

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机译：<！[CDATA [接口修改是提高几乎所有光电器件性能的重要手段。在量子点敏化太阳能电池（QDSC）中，光电码的有效表面改性也对光伏性能产生了临界影响。目前，ZNS和ZnSE宽带隙半导体是用于QDSC的光电码/电解质接口钝化的主流材料。然而，这两种材料的问题是钝化效果和与TiO_（2）/ QD的晶格匹配难以平衡。尽管ZnS由于更高的导通带边缘可以形成较大的能量屏障，但是与TiO_（2）和QD（例如CDSE和Cuinse_（2））的晶格错配大，导致形成附加缺陷状态。相反，ZnSE具有带有TiO_（2）和QD的小晶格不匹配，而是具有相对较低的导通带边缘。在此，我们首次提出使用ZnS _（ x）合金材料作为钝化层的策略来解决单组分钝化层的缺点。通过连续的离子层吸附和反应，沉积在Zn-Cu-In-Se（ZCISE）QD敏化的TiO_（2）膜电极上沉积ZnS _（ x）合金钝化层（Sill）方法。稳定的多糖硫化物/硫化物混合阴离子用作阴离子前体，用于形成ZnS _（ x）Se_（1- x）合金钝化层。实验结果表明，合金钝化层更有利于抑制光电码/电解质界面处的电荷重组。另外，与电流经典ZnS钝化层相比，ZnS _（ x）合金钝化层可以显着提高光发电电子提取效率，如通过瞬态吸收（Ta）测量的确认。因此，通过ZnSSE-10更换ZnSSE-10在AM 1.5G一个全阳光照明下，将QDSC的平均效率从12.17％提高到13.08％。]]]>

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来源
《ACS applied materials & interfaces》 |2019年第44期|共9页
作者
Linlin Zhang; Huashang Rao; Zhenxiao Pan; Xinhua Zhong;
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作者单位

School of Chemistry and Molecular Engineering East China University of Science and Technology;

College of Materials and Energy South China Agricultural University;

College of Materials and Energy South China Agricultural University;

School of Chemistry and Molecular Engineering East China University of Science and Technology;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类化学工业;
关键词
alloy passivation layer; charge recombination; electron extraction; high efficiency; quantum-dot-sensitized solar cells;

机译：合金钝化层;电荷重组;电子提取;高效率;量子点敏化太阳能电池;

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