...
机译:衬底偏置电压剪裁A-SiCX的界面化学:H:A-C:H薄膜粘附的令人惊讶的改善:H沉积在氧气控制的黑色合金上的薄膜
Univ Caxias do Sul PPGMAT BR-95070560 Caxias Do Sul RS Brazil;
Univ Caxias do Sul PPGMAT BR-95070560 Caxias Do Sul RS Brazil;
Univ Estadual Campinas Inst Fis Gleb Wataghin BR-13083970 Campinas SP Brazil;
Univ Caxias do Sul PPGMAT BR-95070560 Caxias Do Sul RS Brazil;
Univ Caxias do Sul PPGMAT BR-95070560 Caxias Do Sul RS Brazil;
Univ Estadual Campinas Inst Fis Gleb Wataghin BR-13083970 Campinas SP Brazil;
Univ Caxias do Sul PPGMAT BR-95070560 Caxias Do Sul RS Brazil;
DLC; hydrogenated silicon carbide; adhesion; oxygen; bias voltage; interface; composition; XPS;
机译:衬底偏置电压剪裁A-SiCX的界面化学:H:A-C:H薄膜粘附的令人惊讶的改善:H沉积在氧气控制的黑色合金上的薄膜
机译:SiCx:H缓冲层介导的亚铁合金上a-C:H薄膜化学键合粘附的鉴定
机译:施加衬底负偏压对含Al a-C:H薄膜的结构和性能的影响
机译:不同衬底偏压下铝合金衬底上氢化非晶碳(a-C:H)薄膜的摩擦学性能
机译:钇(1)钡(2)铜(3)氧(7-x)超导体薄膜中的膜-基底相互作用,沉积在氧化物和碱土金属氟化物基底上。
机译:有趣的SrTiO3衬底上BiFeO3 / La2 / 3Sr1 / 3MnO3薄膜中交换偏压的光控制
机译:衬底偏压对射频磁控溅射沉积Ti6A14V薄膜晶体结构和表面成分的影响
机译:将氢和氧结合到使用DECR等离子体(*)沉积的(t)a-C:H薄膜中。