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机译:在多晶单层MOS2中的晶界脱位播种优先PT纳米光泽粉
Univ Oxford Dept Mat 16 Parks Rd Oxford OX1 3PH England;
JEOL Ltd 3-1-2 Musashino Akishima Tokyo 1968558 Japan;
UCL Dept Chem London WC1H 0AJ England;
Univ Oxford Dept Mat 16 Parks Rd Oxford OX1 3PH England;
Univ Oxford Dept Mat 16 Parks Rd Oxford OX1 3PH England;
UCL Dept Chem London WC1H 0AJ England;
Univ Oxford Dept Mat 16 Parks Rd Oxford OX1 3PH England;
Univ Oxford Dept Mat 16 Parks Rd Oxford OX1 3PH England;
Pt dopants; grain boundary; MoS2; ADF-STEM; 2D materials; density functional theory;
机译:在多晶单层MOS2中的晶界脱位播种优先PT纳米光泽粉
机译:直接光学成像中单层二硫化钨中晶界的受控优先氧化
机译:多晶石墨烯和超细晶粒金属亚表面区域晶界处的平衡位错结构
机译:应力与杂质对多晶硅晶界比例的优惠作用影响
机译:单层MoS2和MoS2 /量子点杂化物:新型光电材料。
机译:用多光子显微镜快速观察单层MoS2中的晶界
机译:在多晶单层MOS2中的晶界脱位播种的优先PT纳米光泽粉