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机译:用前所未有的高光电化学性能和多污染物降解试验,制造MOS2纳米薄片PhotoNode
School of Civil and Environmental Engineering Harbin Institute of Technology Shenzhen (HITSZ) Shenzhen 518055 PR China;
School of Civil and Environmental Engineering Harbin Institute of Technology Shenzhen (HITSZ) Shenzhen 518055 PR China;
School of Civil and Environmental Engineering Harbin Institute of Technology Shenzhen (HITSZ) Shenzhen 518055 PR China;
MoS2 photoanode; Photoelectrocatalysis; Visible light performance; Multiple pollutants degradation;
机译:用前所未有的高光电化学性能和多污染物降解试验,制造MOS2纳米薄片PhotoNode
机译:增强了共掺杂β-In2S3纳米薄片作为水分裂的光桥的光电化学活性
机译:Co-掺杂的β-In2S3纳米片作为光阳极用于水分解的增强的光电化学活性
机译:通过电化学蚀刻选择性地去除多余的V_2O_5,用于再生的BIVO_4光电蚀刻的可再现光电化学水氧化性能
机译:用于光电化学水分解应用的三元氧化物基半导体作为光阳极的开发
机译:超声辅助液相去角质提高了α-Fe2O3 / MOS2光电码中的光电化学性能
机译:增强了共掺杂β-In2S3NANOFLAKE作为水分裂的光胆的光电化学活性