机译:用(MgXNB0.8-0.4x)(4 +)用(MgXNB0.8-0.4X)(4 +)对Mg2tio4陶瓷微波介电性能的影响
Kyonggi Univ Dept Mat Engn Suwon 443760 South Korea;
Kyonggi Univ Dept Mat Engn Suwon 443760 South Korea;
Non-stoichiometry; Packing fraction; Microwave dielectric properties; Mg2TiO4;
机译:用(MgXNB0.8-0.4x)(4 +)用(MgXNB0.8-0.4X)(4 +)对Mg2tio4陶瓷微波介电性能的影响
机译:用Ti〜(4+)代替Sn〜(4+)改善Zn_2SnO_4陶瓷的微波介电性能
机译:通过替代(Al0.5nb0.5)(4 +)的Ti4 +替代Ba4nd9.33Ti18O54陶瓷的微波介电性能改性,并添加Ndalo3
机译:Ti {sup}(4 +)取代对ZnNB {sub}微观结构和微波介电性能的影响(2(1-x))Ti {} xo {sub}(6-3x)纤维
机译:无线通信用钽酸钡锌(Ba(Zn(1/3)Ta(2/3))O(3))陶瓷的合成,加工和微波介电性能。
机译:钨替代对低烧结温度下(Na0.5Bi0.5)MoO4陶瓷晶体结构相变和微波介电性能的影响
机译:(CO1 / 3NB2 / 3)4+取代对陶瓷天线应用Li2Ti1-X(CO1 / 3NB2 / 3)XO3陶瓷微结构和微波介电性能的影响