机译:通过掺杂HFO2 / Si界面对由反应溅射形成的Y掺杂HFO2 / Si界面对Y掺杂HFO(2)膜的铁电特性的影响
Dalian Univ Technol Minist Educ Key Lab Mat Modificat Laser Ion &
Electron Beams Dalian 116024 Peoples R China;
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Jeju Natl Univ Dept Phys Jeju 63243 South Korea;
Hafnium oxide; Ferroelectricity; Buffer layer; TEM;
机译:通过掺杂HFO2 / Si界面对由反应溅射形成的Y掺杂HFO2 / Si界面对Y掺杂HFO(2)膜的铁电特性的影响
机译:通过射频磁控溅射法制备近1-μm-厚的{100} - 厚度的外延y掺杂的HFO2铁电薄膜(100)Si基板上
机译:通过溅射法及其铁电和压电性能制备(111)Pt / TiO_X / SiO_2 /(001)Si基板上的1μm厚Y掺杂的HFO_2铁电薄膜
机译:通过原子层沉积和低温后退火形成铁电掺Y的HfO2
机译:研究工艺参数变化对离子束溅射Sc2O3和HfO2薄膜的材料性能和激光损伤性能的影响。
机译:外延Y掺杂HfO2薄膜中明显铁电的论证
机译:臭氧后沉积处理对界面和电学的影响 原子层沉积al2O3和HfO2薄膜在Gasb上的特性 基板