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机译:铬含量对反应磁控型共溅射工艺产生钒氮化钒薄膜微观结构和电化学超特性的影响
Sathyabama Inst Sci &
Technol Ctr Excellence Energy Res Chennai 600119 Tamil Nadu India;
Sathyabama Inst Sci &
Technol Ctr Excellence Energy Res Chennai 600119 Tamil Nadu India;
SRM Inst Sci &
Technol Dept Chem Electrochem Energy Lab Kattankulathur 603203 India;
Sathyabama Inst Sci &
Technol Ctr Excellence Energy Res Chennai 600119 Tamil Nadu India;
Kaohsiung Med Univ Dept Med &
Appl Chem Kaohsiung 807 Taiwan;
Dongguk Univ Seoul Div Elect &
Elect Engn Seoul 04620 South Korea;
Chromium doped vanadium nitride; Co-sputtering; Microstructure; Thin film electrodes; Supercapacitor;
机译:铬含量对反应磁控型共溅射工艺产生钒氮化钒薄膜微观结构和电化学超特性的影响
机译:钒含量对反应性直流磁控共溅射制备TiVN薄膜结构和化学状态的影响
机译:溅射参数和氮对直流反应磁控溅射沉积在钢基底上的氮化铬薄膜微观结构的影响
机译:反应磁控凝固沉积铝钛氮化钛薄膜的特征
机译:氮化铬和氮化铬铝外延膜,用于通过AC反应磁控溅射法生长α-氧化铝。
机译:磁控共溅射制备可降解冠状动脉支架的二元非晶态Zn-Zr合金薄膜的初步研究
机译:钒含量对反应性直流磁控共溅射制备TiVN薄膜结构和化学状态的影响