Изучено образование оксидных слоев на поверхности дисипицида вольфрама в процессе электрохимической поляризации в 3%-ном растворе NaCl при 20°C. Показано, что общая толщина образующегося в течение 90 мин оксидного слоя не превышает 10 нм. Установлен многостадийный механизм анодного окисления: образуются оксиды вольфрама, в которых степень окисления металла тем выше, чем больше величина поляризации (в частности, W{sub}3O и WO{sub}3); низший силицид вольфрама W{sub}5Si{sub}3; диоксид кремния. Показано, что двойной электролитический слой на межфазной границе дисилицида вольфрама и раствора 3%-ного NaCl образуется вследствие диссоциации силанольных групп, a priori находящихся на поверхности силицида. При этом поверхность электрода приобретает отрицательный заряд, а заряженный положительно диффузный слой содержит ионы гидроксония. Вследствие образования на поверхности WSi{sub}2 пленки SiO{sub}2 материал становится более коррозионностойким. Установленная схема электрохимического окисления WSi{sub}2 в целом согласуется с механизмом его высокотемпературного окисления.
展开▼
