КОНТРОЛЬ ИЗМЕНЕНИЙ РАБОТЫ ВЫХОДА И ПРОЗРАЧНОСТИ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА МОНОКРИСТАЛЛОВ W(100) И GaAs(100) В ОБЛАСТИ ПОКРЫТИЙ СУБМОНОСЛОЙНОГО

Ю. И. Асалханов; В. Н. Абарыков; Yu. I. Asalkhanov; V. N. Abarykov

首页> 外文期刊>Научное приборостроение >КОНТРОЛЬ ИЗМЕНЕНИЙ РАБОТЫ ВЫХОДА И ПРОЗРАЧНОСТИ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА МОНОКРИСТАЛЛОВ W(100) И GaAs(100) В ОБЛАСТИ ПОКРЫТИЙ СУБМОНОСЛОЙНОГО

【24h】

КОНТРОЛЬ ИЗМЕНЕНИЙ РАБОТЫ ВЫХОДА И ПРОЗРАЧНОСТИ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА МОНОКРИСТАЛЛОВ W(100) И GaAs(100) В ОБЛАСТИ ПОКРЫТИЙ СУБМОНОСЛОЙНОГО

机译：监测单晶的单晶W（100）和GaAs（100）的潜在屏障的输出和透明度的操作变化

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Продемонстрирована высокая чувствительность метода задерживающего потенциала Андерсона к изменению степени покрытия поверхностей твердых тел адсорбатом субмонослойного диапазона. На примере поэтапного удаления естественного окисла с поверхностей монокристаллов W(100) и GaAs(110) отмечены очевидное сходство и существенные различия в изменениях вольт-амперных характеристик тока медленных моноэнергетических электронов, проходящих из вакуума в металлы и полупроводники.

机译：Anderson延迟潜在方法的高灵敏度被证明于亚单核范围的固体吸附剂的涂层表面的变化。使用从单晶W（100）和GaAs（110）的表面的分阶段除去天然氧化物的实例，显而易见的相似之处和在金属中通过真空真空的电压特性的变化变化的显着差异并注意到半导体。

著录项

来源
《Научное приборостроение》 |2002年第1期|共6页
作者
Ю. И. Асалханов; В. Н. Абарыков; Yu. I. Asalkhanov; V. N. Abarykov;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类仪器、仪表;
关键词
入库时间 2022-08-20 15:49:45

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy Growth and Characterization of Thick (100) CdTe Layers on (100) GaAs and (100) GaAs/Si Substrates [J] . M. Niraula, K. Yasuda, T. Ishiguro, Journal of Electronic Materials . 2003,第7期

机译：（100）GaAs和（100）GaAs / Si衬底上厚（100）CdTe层的金属有机气相外延生长和表征
2. Исследование вольт-амперных характеристик новых гетероструктур MnO_2/GaAs(100) и V_2O_5/GaAs(100), прошедших термическую обработку [J] . Б. В. Сладкопевцев, Г. И. Котов, И. Н. Арсентьев, Физика и техника полупроводников . 2019,第8期

机译：的新的异质电流 - 电压特性调查二氧化锰/砷化镓（100）和V_2O_5 /砷化镓（100），所述热处理
3. ATOMIC STRUCTURE OF BARE P-GAAS(100) AND ELECTRODEPOSITED CU ON P-GAAS(100) SURFACES IN H2SO4 SOLUTIONS - AN AFM STUDY [J] . Koinuma M., Uosaki K. Journal of Electroanalytical Chemistry: An International Journal Devoted to All Aspects of Electrode Kinetics, Interfacial Structure, Properties of Electrolytes, Colloid and Biological Electrochemistry . 1996,第1a2期

机译：H2SO4溶液中裸P-GAAS（100）的原子结构和P-GAAS（100）表面上的电沉积CU-AFM研究
4. ZnSe/GaAs(100) thin layers ZnS-ZnSe-ZnS/GaAs(100) single quantum well structures and ZnS/ZnSe/GaAs(100) superlattices grown by photoassisted VPE [C] . Alexander V. Kovalenko, Dnepropetrovskiy State Univ., Dnepropetrovsk, Optoelectronic Integrated Circuit Materials, Physics, and Devices . 1995

机译：ZnSe / GaAs（100）薄层ZnS-ZnSe-ZnS / GaAs（100）单量子阱结构和光辅助VPE生长的ZnS / ZnSe / GaAs（100）超晶格
5. Surface Chemistry and Interface Evolution during the Atomic Layer Deposition of High-k Metal Oxides on InAs(100) and GaAs(100) Surfaces. [D] . Henegar, Alex J. 2015

机译：在InAs（100）和GaAs（100）表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
6. Deep-level Transient Spectroscopy of GaAs/AlGaAs Multi-Quantum Wells Grown on (100) and (311)B GaAs Substrates [O] . M Shafi, RH Mari, A Khatab, 2010

机译：在（100）和（311）B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
7. Исследование вольт-амперных характеристик новых гетероструктур MnO-=SUB=-2-=/SUB=-/GaAs(100) и V-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-5-=/SUB=-/GaAs(100), прошедших термическую обработку [O] . Б.В. Сладкопевцев, Г.И. Котов, И.Н. Арсентьев, 2019

机译：新异质结构的伏安特性的研究Mno-= sub = -2 - = /子= - / GaAs（100）和V- = sub = -2 - = / sub = -o-= sub = - 5 - = / sub = - / gaas（100）经过热处理
8. Electronic Structure of Type-I Superlattices: AlAs/GaAs (100), Ge/GaAs (100) [R] . Abbas, G. F. S., Tomak, M. 1984

机译：I型超晶格的电子结构：alas / Gaas（100），Ge / Gaas（100）

КОНТРОЛЬ ИЗМЕНЕНИЙ РАБОТЫ ВЫХОДА И ПРОЗРАЧНОСТИ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА МОНОКРИСТАЛЛОВ W(100) И GaAs(100) В ОБЛАСТИ ПОКРЫТИЙ СУБМОНОСЛОЙНОГО

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅