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次世代半導体洗浄技術:東芝の65/45nmノード洗浄·乾燥技術(FEOL. BEOL)

机译:下一代半导体洗涤技术:东芝65/45nm节点清洁和干燥技术(Feol。BEOL)

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摘要

東芝は300mmウエハを用いたデバイス量産ラインとして、四日市工場では大量生産型商品であるNAND型フラッシュメモリーを、大分工場では少量(中量)多品種型商品であるSystem LSIデバイスを生産しています。 また、デバイスプロセス開発ラインとして横浜事業所では次世代NANDメモリーの開発、並びに次世代CMOSデバイスの開発、及びその両デバイスに跨る共通プロセス技術の要素技術開発を行っています。 近年、65nm世代以降、デバイスパターンの微細化、デバイスの高性能化が進み、両デバイスは共に洗浄プロセスに対して「新たな試練」を次々に課してきています。 その益々増えてくる「新たな試練」に対して打破する為の「新たな洗浄プロセス技術の取り組み方針」の一部を簡単に紹介します。
机译:东芝生产系统LSI设备,是大量产品型产品,该产品是大量产品型产品,大量生产产品,作为使用300 mm晶片的器件质量生产线。 此外,作为设备流程开发线,横滨办事处开发了下一代NAND内存开发和开发下一代CMOS设备,以及两种设备的共同工艺技术的元素技术开发。 近年来,由于65nm代,设备图案小型化和器件性能进行了进步,这两个设备都有两个设备,“新试验”正在应用于清洁过程。 我们将简要介绍一些“新的清洁过程技术方法”政策“,分解”新试验“,这将增加越来越多。

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