次世代半導体洗浄技術：ルネサスの65/45nmノード洗浄·乾燥技術(FEOL、BEOL)

摘要

以前、我々は液体とガスとを混合し、ミスト化した微小液滴をウエハ表面へ噴射することでパーティクルを除去する2流体ジェット洗浄（通称M-jet）を開発し、現在ではLSIや液晶等の製造ラインに広く適用されている。 本洗浄法は、ガス流量を調整し水滴の噴射速度を変えることで、微細パターンにダメージを生じることなくパーティクル除去が可能であり、更に、薬液処理を組合せることでより高い洗浄性能を有していることを確認している。 従来のSPM (H{sub}2SO{sub}4/H{sub}2O{sub}2)やHPM (HCl/H{sub}2O{sub}2/H{sub}2O)等の強酸を使用した洗浄は、高濃度の金属汚染や溶解し難い粒子状の金属汚染物に対しては有効であるが、洗浄液中の金属汚染の蓄積や純水中の汚染に対して必ずしも完全ではなく、ウエハ上に微量の金属汚染が付着する問題がある。 我々は、希釈塩酸水を最終洗浄とする洗浄フローを開発し、微小パーティクルや金属付着を極限まで少なくした高清浄表面の実現を可能とした。 本報告では、65/45nmデバイスに対応した洗浄に関して、バッチ／枚葉の処理形態の違いや、弊社が使用している2流体洗浄、及び希釈塩酸水洗浄について述べる。