次世代半導体洗浄技術：大日本スクリーン製造の洗浄·乾燥技術よ装置－半導体デバイスの微細化にともなう課題と当社の洗浄·乾燥技術および装置のご紹介

摘要

半導体プロセスは、利益確保のための継続的な技術革新の必要性から集積度がますます高まり、デザインルールに沿い、スケーリング則に則って集積回路の微細化が進み、現在、最先端では90nmテクノロジーノードの半導体デバイスの量産がなされている。 図1に半導体プロセスのトレンドを示すが、ITRSのロードマップによれば、2007年には65nmノード、2010年には45nmノードへと移行する。 このような状況にあって、洗浄に求められるニーズは以前に増して高まってきている。 従来のデバイスは大半がSi成分を主体とした材料を絶縁性や導電性を持たせることで形成してきた。 しかし、微細化に伴い導電性材料では抵抗値上昇や遅延、絶縁膜ではリークなどが生じるため、材料は通電しやすい材料や誘電率の低い材料に移行し、従来には無い異なる材料の成膜をせざるを得なくなってきている。 この結果、次工程に移る際、製品の歩留まり向上に寄与する、いわゆる前処理、後処理と呼ばれる、ウエット洗浄の重要性が今まで以上に増してきている。 本稿では、まず、半導体製造工程における洗浄の重要性、洗浄の課題と動向を説明した後、当社の課題への取組みをバッチ、枚葉それぞれ紹介する。