超音波ノズルを活用した洗浄真空乾燥装置：半導体基板の線幅45nmのCu/Ultra Low-k膜対応

摘要

Cu/Ultra Low-k膜の搭載のデバイスの量産化を迎えるにあたり、クロズアップされてきたのが静電気の問題である。 45nm領域に入り、特に半導体製造においては、デバイスの信頼性の観点から静電気の対策を必要とされている。 また歩留まりの向上には、洗浄乾燥技術とによる細やかなケアが重要である。 特に多孔質無機Low-k膜については、多孔膜と洗浄ノズルから噴射する洗浄液との相性を合わせる必要がある。乾燥においては、空孔及びトレンチの内部の乾燥度が次工程のプロセスに重要となるであろう。