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PZT薄膜装荷CPWのバイアス電圧印加特性に関する基礎検討

机译:PZT薄膜加载CPW偏置电压应用特性的基本研究

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摘要

アルミナ基板上に強誘電体材料の1つであるPZTを2μm程度塗布し、その上に1μm厚の金の蒸着およびエッチングにより構成したコプレーナ線路(CPW)を作成した。 そして、この伝送線路の反射·透過係数および30~50Vの直流バイアス電圧印加時の位相変化特性を測定した。 その結果、たとえば50V印加時において8GHzにて18deg程度の位相の変化が確認でき、このような構造に対するマイクロ波帯での基本的な入出力特性を把握した。
机译:在氧化铝基板上,施加到约2μm的氧化铝基板,PZT,其施加至约2μm,并且产生由1μm厚的金沉积和蚀刻制成的共面管线(CPW)。 然后,测量施加该传输线的DC偏置电压的应用时间的相变特性和30至50V的DC偏置电压。 结果,可以在50V的时间内在8GHz处在8GHz处在8GHz处的相位的变化,并掌握微波带中的基本输入/输出特性以用于这种结构。

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