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【24h】

三次元積層チップにおける電力消費に伴う発熱温度の実チップ評価

机译:放热温度的实际芯片评估伴随着三维多层芯片的功耗

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摘要

LSIの三次元積層技術における問題点の1つである発熱について、積層構造によるチップの発熱温度への影響を解析するため、複数の発熱回路や温度センサとしてリークモニタ回路を搭載したチップを試作し、3段および4段に積層し実測および評価を行った。その結果積層段数が3段から4段となることで、最上段中央部にて0.56Wの電力消費時に最大1.7°C、最上段角部にて0.40Wの電力消費時に最大6.5°Cの温度上昇を確認した。また、HotSpotを用いたシミュレーション結果との比較についても議論する。
机译:为了通过层压结构分析芯片对芯片的发热温度的影响,以分析芯片对发热电路或温度传感器作为其中一个问题的发热温度的影响在LSI的三维层压技术中,配备有泄漏监视器电路的芯片被原型为多个发热电路和温度传感器。,在三个和四个阶段进行测量和评估。 结果,当堆叠阶段的数量是四个阶段到四个阶段,当时顶部顶部顶部顶部顶部顶部的顶部的顶部的温度在功耗为0.40W时温度为0.40W的功耗为0.40W。我确认了增加。 我们还使用热点讨论与仿真结果的比较。

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