高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)

摘要

高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を適用した45nm世代システムLSIプラットフォーム技術に関し、その内容を報告する。適用技術としては、デザインルール縮小及びHDRSAMを実現するための高NA液浸リソグラフィ技術、短チャネル効果抑制及びMOSFET性能targetを達成するために、本世代で初めて適用されることとなったExtension後作りMOSFET integration、及びeSiGe，SMT，DSL等の各種ストレス技術が挙げられる。さらにBEOLに対しては配線容量低減(Keff=2.7)を目的としたポーラス低誘電率膜適用、信頼性向上を目的としたTi系バリアメタルをHybrid Dual-damascene構造に適用することで、45nm世代に必要十分な容量、信頼性、歩留まりを実現している。 以下、上記に述べた技術項目に関して詳細を報告する。