統計的解析によるPoly-Si TFTの結晶粒界の影響の評価

摘要

ポリシリコンの結晶粒径のばらつきを考慮した，より現実の系に近い大規模なドリフト拡散シミュレーションで，ポリシリコンTFTのデバイスシミュレーションにおけるしきい値電圧(V{sub}(th))ばらつきを定量的に評価した．その結果，V{sub}(th)は粒界の位置により影響を受けるため，粒界が空間的に局在している一般的な粒界モデルによるデバイス特性の定量的な評価には注意が必要であることがわかった．また，粒径のばらつきに起因するV{sub}(th)ばらつきは，長チャネルの場合はデバイスに含まれる粒界の本数の影響が支配的だが，素子微細化に伴い，粒界位置のばらつきによる影響が顕在化することがわかった．