高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトテンジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析

摘要

CMOSイメージセンサ（CIS）の画素内ソースフォロアトランジスタ（SF）で発生するランダムテレグラフノイズ（RTN）について，ドレイン電流やバックバイアス等のSFの動作条件を変化させた際の挙動解析を，高精度アレイテスト回路測定技術を用いて行った．多数のトランジスタの測定による統計的な挙動解析に加え，個別のトランジスタにおける挙動にも着目し，振幅や時定数といったRTNを特徴づけるパラメータのドレイン電流·バックバイアス依存性を評価することで，RTNの発生メカニズムを考察するとともに，RTNの低減に資する，CIS のSF動作条件がRTNに与える影響を明らかにした．