III-V ナノワイヤ／Siへテロ接合界面の電子素子応用と光電変換素子応用

摘要

近年、ナノメートルスケールの直径を有した半導体ナノワイヤ·ナノロッドが次世代エレクトロニクス·フォトニクス材料として注目されている。有機金属気相選択成長法により集積したSi上のIII-V族化合物半導体ナノワイヤに形成される特異なヘテロ接合界面を利用した、低電圧トランジスタ応用と光電変換素子応用について紹介する。