低電圧·極低電力CMOSロジック回路における回路特性のデバイスパラメータ依存性の評価

更田裕司; 安福正; 高宮真; 野村昌弘; 篠原尋史; 桜井貴康

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低電圧·極低電力CMOSロジック回路における回路特性のデバイスパラメータ依存性の評価

机译：低电压和低功率CMOS逻辑电路电路特性的装置参数依赖性评估

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CMOSロジック回路の電力を削減するには，その電源電圧を低下させることが有効である．本稿では，非常に低い電源電圧で動作するロジック回路のエネルギーと，回路が動作する最低の電源電圧（V_(DDmin)）について，それらのデバイスパラメータ（閾値電圧やサブスレッシヨルド·スイング·パラメータ等）依存性を評価する．

机译：为了降低CMOS逻辑电路的功率，可以降低电源电压是有效的。在本文中，在非常低的电源电压下操作的逻辑电路的能量和操作电路（阈值电压和子阈值的电路（V_（DDMIN））的最低电源电压（V_（DDMIN）） Swing参数等）评估依赖。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. シリコン材料·デバイス. Silicon Devices and Materials》 |2011年第422期|共4页
作者
更田裕司; 安福正; 高宮真; 野村昌弘; 篠原尋史; 桜井貴康;
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作者单位

東京大学生産技術研究所;

東京大学生産技術研究所;

東京大学生産技術研究所;

半導体理工学研究センター;

半導体理工学研究センター;

東京大学生産技術研究所;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类一般性问题;
关键词
低消費電力; 最低可動電圧; 製造ばらつき;

机译：低功耗;最小可动电压;制造变异;

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