Радиационная стойкость ареенида галлия. II. Электроны и гамма-кванты

摘要

Представлены результаты исследования стойкости эпитаксиального и имплантированного кремнием арсенида галлия при облучении электронами с энергией от 1 до 30 МэВ и гамма-квантами ~(60)Со. Исследования выполнены на приборных структурах, диодах Ганна, диодах с барьером Шоттки и полевых транзисторах Шоттки. Установлены соотношения, описывающие изменение концентрации электронов и их подвижности при облучении, которые позволяют прогнозировать стойкость приборов. Показано, что оптимальные режимы изготовления приборов не вносят заметного вклада в их радиационную стойкость.