首页> 外文期刊>ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ >Эффект самокомпенсации примеси в кристаллах Hg_3In_2Te_6, легированных гадолинием
【24h】

Эффект самокомпенсации примеси в кристаллах Hg_3In_2Te_6, легированных гадолинием

机译:晶体中杂质的自我补偿的影响Hg_3in_2Te_6掺杂钆

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

На основе данных исследования оптических свойств кристаллов Hg_3In_2Te_6, легированных гадолинием, показана связь структурного разупорядочения с внутренними электрическими полями, напряженность которых увеличивается с ростом концентрации примеси. Наблюдаемые изменения оптических параметров объясняются перераспределением плотности электронных облаков, которое сопровождается образованием квазинепрерывнораспределенных в запрещенной зоне уровней донорных и акцепторных центров, обеспечивающих самокомпенсацию введенной примеси. При этом происходит более сильная локализация электронов из-за усиления их связи с атомами.
机译:基于数据研究HG_3IN_2TE_6晶体的光学性质,掺杂钆的掺杂剂,显示了与内部电场的结构排序的连接,其强度随着杂质浓度的增加而增加。通过电子云密度的重新分布来解释所观察到的光学参数的变化,其伴随着施主和受体中心的禁区和受体中心的形成,提供了引入的杂质的自我补偿。在这种情况下,由于与原子的连接增加,电子存在更强的电子定位。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号