Исследование линейных торцевых светодиодов на основе гетероструктуры InP/InGaAsP/InP с серповидной активной областью

摘要

Созданы торцевые зарощенные светоизлучающие диоды (СИД) с широким спектром излучения в диапазоне длины волны 1380 - 1420 нм. Показана конструкция торцевого светодиода с каналом в подложке с серповидной активной областью и блокирующими слоями InP/GalnAsP/p-n-p-n/ZnSe. Проведена стыковка СИД с оптическим одномодовым волокном и микролинзой на торце оптического волокна. Изучены характеристики светодиодов на основе меза-полосковых гетероструктур InP/GalnAsP. Изучены зависимости выходной мощности и спектра излучения светодиодов на основе меза-полосковых гетероструктур InP - InGaAsP - InP с серповидной активной областью и p-n-p-n/ZnSe структурой, блокирующей ток утечки, от температуры стабилизации активного элемента и тока инжекции/ Продемонстрирована зависимость выходных параметров от температуры стабилизации излучателя, что даёт возможность создания на основе данных СИД приборов как с принудительным, так и без принудительного охлаждения. Показана возможность создания зарощенных, с серповидной активной областью, светодиодов с низкой степенью модуляции спектра излучения. Продемонстрирована возможность ввода до 45 % излучения этих светодиодов в одномодовое оптическое волокно с использованием микролинз, полученных химическим травлением и оплавлением торца волокна в высоковольтной дуге сварочного аппарата.