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ESD印加によるGMRヘッドの磁気的不安定性

机译:ESD应用GMR头的磁不稳定性

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摘要

近年の高記録密度化に対応して、磁気ディスク装置用再生ヘッドにはGMR (Giant magneto-resistive)ヘッドが用いられるようになった。 GMRヘッドは半導体などの他の電子デバイスと同様に、静電気に対して敏感なデバイスであり、そのESD特性の評価が重要な課題となっている。 更に、磁気ディスク装置は、カーナビゲーション、HDDレコーダー、MP3プレーヤー、モバイル端末といったようにその適応範囲は拡大され、温度環境も従来のコンピュータ用のデータ記憶装置と比べ高温化の傾向となっている。 そこで、その使用環境にあった評価手法の開発が必要とされる。 GMRヘッドの素子部分はFig.1(a)に示すように反強磁性層とピン層、自由層が積層された構造である。 ピン層の磁化方向は反強磁性層との磁気的なカップリングにより固定されている。素子のトラック幅方向の端部に配置された永久磁石の磁区制御膜は、自由層に横向きのバイアス磁界を与える働きをしている。 Fig.1(b)に示すように自由層はディスクからの上下方向の磁界によって回転する為、その自由層とピン層との磁化角度に応じて素子抵抗が変化し、記録トラックの情報を再生することができる。このように、GMR ヘッドは磁性薄膜の積層されたデバイスであり、そのESD現象には、電圧による絶縁破壊、電流によって発生する熱による溶融破壊とともに、電流によって発生する磁界による磁気的破壊を考慮しなければならない。 これまで知られているESDの代表的な評価方法には、HBM (hman body model),MM (machine model),CDM (charged-device model)等のESD波形によるものがある。 しかし、実際のGMRヘッドの取扱工程におけるESD被壊ではより多くの破壊モードが考えられるため、これら単一波形による評価では不十分であり、これらの波形を組合せた総合的な評価によってESD特性を把握する必要がある。 また、それらのESD特性及び温度ストレスが磁気的不安定性に及ぼす影響について検討する必要がある。 そこで、任意のESD波形発生機能と半導体レーザによる温度ストレス印加機能を同時に備え、1kHzまでの交番磁界印加によるヘッド特性のインスタビリティの評価が可能なQST (Quasi Static Tester)を開発した。 本報告では、このQSTを用いて評価を行いて、各種ESD波形とGMRヘッドのダメージの関係、およびESDによるヘッドのインスタビリティ特性について述べる。 更に、温度ストレス印加によるヘッド再生特性の評価についても検討を行い、温度ストレスによる磁気的な不安定性と自由層の磁区制御との関係についてマイクロマグネティクスシミュレーションを用いた検討結果について述べる。
机译:目前,GMR(巨大的磁电阻)头现在用于近年来的高记录密度响应磁盘器件的播放头。与诸如半导体的其他电子设备一样,GMR头是对静电电力敏感的设备,并且其ESD特征的评估是一个重要问题。此外,磁盘驱动器被放大,并且其适配范围扩大,例如汽车导航,HDD记录器,MP3播放器和移动终端,并且温度环境也趋于高于传统数据存储设备对于电脑。因此,有必要在使用环境中开发评估方法。 GMR头的元件部分是其中,如图2所示层叠反铁磁层,固定层和自由层的结构。1(a)。通过与反铁磁层的磁耦合耦合来固定钉扎层的磁化方向。在轨道宽度方向上设置在元件端部的永磁体的磁畴控制膜可以为自由层提供水平偏置磁场。如图1所示。如图1(b)所示,由于自由层从盘中的垂直方向上的磁场旋转,因此装置电阻根据自由层和销层之间的磁化角改变,并且再现录制轨道信息。可以做。如上所述,GMR头是层压的装置,其与磁性薄膜层叠,并且ESD现象是由于由电流产生的热量产生的电压产生的电压介电击穿,以考虑由于所产生的磁场而考虑磁性故障。当前。必须有。迄今为止已知的ESDS的典型评估方法包括ESD波形,例如HMAN BODY模型,MM(机器型号),CDM(充电设备模型)。然而,由于实际GMR头处理过程中的ESD损坏被认为是更多的破坏模式,因此通过这些单个波形评估的评估不足,并且通过综合评估组合这些波形来使用ESD特性。有必要掌握。此外,有必要检查其ESD特性和温度应力对磁不稳定性的影响。因此,我们开发了QST(准静态测试仪),其可以通过将最高1 kHz的交替磁场施加到1 kHz来评估头部特性的不稳定性,并且通过半导体激光器的任何ESD波形产生功能和温度应力应用功能。在本报告中,使用该QST来执行评估,以描述各种ESD波形与GMR头的损坏关系之间的关系,以及通过ESD的稳定性特性。此外,还考虑了通过施加温度应力来评估头再生特性,并且使用微磁模拟来描述通过温度应力和自由层的磁畴控制之间的关系。

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