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差動増幅器を用いた全並列型アナログ。デジタル混載連想メモリ

机译:使用差分放大器的所有并行型模拟。 数字混合的联想记忆

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摘要

予めメモリ内に入力されている参照データの申から,入力された検索データに最も近いデータを出力するアナログ?デジタル混載全並列型想メモリをこれまでに開発している.本報告では,提案している連想メモリの更なる高速,高信頼性,小面積化を実現するために,最小距離検索回路に差動増幅器を用いる方法を提案しする.提案手法を用いた新しい連想メモリ回路を0.35〃mCMOS技術にてチップ試作を行った,また,提案回路のシミュレーション結果から,5ビット,16ユニット,64参照パターンの場合において,面積5.475mm2,遅延時間80ns以下,消費電力130mW以下での動作を確認した.
机译:从引用的参考数据报告进入存储器中,到目前为止开发了输出最接近输入搜索数据的数据的模拟存储器。 在本报告中,我们提出了一种在最小距离搜索电路中使用差分放大器的方法,以实现提出的辅助存储器的进一步高速,高可靠性和更小的集成。 使用所提出的方法的新联想存储器电路由芯片原型进行0.35 McMOS技术,以及所提出的电路的仿真结果,面积为5位,16个单元和64个参考图案,5.475mm2,延迟时间80 ns或更小,确认了130 mW或更小的功耗的操作。

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