超高速トランジスタ、超高集積SRAM、層間実効誘電率3.0のCu配線を備えた90nm CMOSテクノロジ

摘要

アブストラクトhigh end向け40nmゲート長トランジスタ、generic 65nmゲート長トランジスタ、実効誘電率30 を達成するSiCでキャップされたCu/SiLK配線、セル面積0.999μm{sup}2の6T-SRAMを備えた90nm CMOSテクノロジを開発した。