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Design methodology of high performance microprocessor using ultra-low threshold voltage CMOS

机译:采用 超低 门限电压 CMOS 高性能 微处理器 的 设计方法

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摘要

A new design methodology of high performance CMOS MPU that applies ultra-low V{sub}(TH), which is necessary to improve circuit performance with tow power supply voltage, is discussed. The multi-V{sub}(TH), the IDDQ measurement with back bias control at low temperature and △IDDQ technologies are applied in order to speed up without increasing background leakage in IDDQ test As a result, operation frequency of 64bit MPU was successfully improved 340MHz to 560MHz without lowering IDDQ quality.
机译:讨论了应用超低v {sub}(Th)的高性能CMOS MPU的新设计方法,这是为了提高电源电压的电路性能所必需的。 使用低温下的Multi-V {Sub}(Th),在低温下进行偏压和△IDQ技术的IDDQ测量,以便在不增加IDDQ测试中的背景泄漏的情况下加速,64位MPU的操作频率成功 在不降低IDDQ质量的情况下提高340MHz至560MHz。

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