モシテカルロデバイスシミュレーション法を用いた高速撮像素子の解析

摘要

裏面照射（BSI）画素周辺記録型撮像素子（ISIS）の高速撮像限界に対する考察をモンテカルロ（MC）デバイスシミュレーション法を用いて行った．発生した光電子が，収集ゲートに到達するまで要する走行時間のばらつきが撮像時間分解能を律達する原理的要因となる．本報告では，個々の電子の確率的な挙動を追跡するMCシミュレーションが，この種の統計解析に非常に適していることを示すとともに，光電子収集時間のばらつきを増大させる機構について理論的な分析を行った．