Разработан прибор для снятия переходных характеристик и измерения параметров быстродействующих диодных структур на полупроводниковой пластине, на отдельных чипах, а также после установки в корпус. Особенностью прибора является возможность измерения времени восстановления в диапазоне от 10 до 500 нс с амплитудой прямого тока от 1 до 40 А при обратном напряжении от 100 до 400 В и скорости изменения тока от 50 до 800 А/мкс. Управление процессом измерения, а также обработка, отображение и хранение информации осуществляется с помощью персонального компьютера.
展开▼
