СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ПОРОГОВОЙ ДОЗЫ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ ВОДОРОДА ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ БЛИСТЕРОВ В КРЕМНИИ

摘要

Рассматриваются условия уменьшения пороговой дозы радиационно-газового скалывания монокристалла кремния путем использования в едином производственном цикле двухэтапного облучения ионами водорода фиксированной энергии. Экспериментально установлено, что в образце в режиме двухэтапного его облучения ионами водорода с E = 12.5 кэВ дозой 0.5 · 10~(16)см~(-2) при нормальном угле падения частиц на первом этапе, а затем дозой 1 · 10~(16)см~(-2) под углом 32° на втором этапе (суммарная доза 1.5 · 10~(16)см~(-2)) формируется хорошо развитая блистерная структура, подобная структуре в образце, облученном в режиме одноэтапного облучения до дозы 5 · 10~(16)см~(-2). Это свидетельствует о реализации условий более чем трехкратного понижения порога образования водородных блистеров в кремнии при двухэтапном облучении ионами водорода одной энергии в едином производственном цикле.